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朝岡 秀人; 斉木 幸一郎*; 小間 篤*; 山本 博之
Physica B; Condensed Matter, 284-288, p.2101 - 2102, 2000/07
被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Condensed Matter)Si2
1基板上へのSrO薄膜作製のためにさまざまな試みがなされているが、Si(100)面上へのSrOのエピタキシャル成長は困難であり、得られる薄膜の結晶性、界面上のSiO
等の存在が問題とされている。そこで水素終端したSi(100)基板を用いたSrOのエピタキシャル成長の可能性を探るとともに、RHEED,AES,ESCA等によるSi界面、SrO薄膜の評価を行った。
朝岡 秀人; 斉木 幸一郎*; 小間 篤*; 山本 博之
Thin Solid Films, 369(1-2), p.273 - 276, 2000/07
被引用回数：14 パーセンタイル：59.79(Materials Science, Multidisciplinary)半導体基板上への酸化物薄膜のヘテロエピタキシャル成長は、得られる酸化物薄膜の結晶性・界面上の遷移層の存在が問題とされている。そこでわれわれは半導体基板上に直接良質な酸化物薄膜を成長させるため、水素終端処理を用いたヘテロエピタキシャル成長の可能性を探った。半導体基板上にtcc構造の金属Srのエピタキシャル成長後、酸化処理を行うことによってSrの構造を保ったNaCl構造のSrOエピタキシャル薄膜を成長させることに成功した。水素終端処理の有無に関連し、結晶性、界面の評価を行った結果、水素終端処理がシャープな界面形成に有効であることが示された。
河裾 厚男; 吉川 正人; 児島 一聡; 岡田 漱平; 一宮 彪彦*
Physical Review B, 61(3), p.2102 - 2106, 2000/01
被引用回数：13 パーセンタイル：57.65(Materials Science, Multidisciplinary)ウェット法にて作製した水素終端Si(111)表面について、高角度分解能でロッキング曲線を求めたところ、平坦な表面に対しては予想されない、特異なディップ曲線が、ロッキング曲線の陽電子全反射領域に見いだされた。種々の原子モデルを仮定し、理論計算を行ったところ、Si-H(モノハイドライド)表面上にSiH
(トリハイドライド)分子が、付着した表面が、実験を最も良く再現することがわかった。通常、上記の水素終端Si(111)表面は、原子尺度で非常に平坦で、モノハイドライド相が圧倒的に多いと考えられており、実際STMの研究でも、そのことが確かめられていた。これに対し、RHEPDの結果は、SiH分子が、かなり残留することを示唆している。そのほか、理論的に予想されていた一波条件による回折スポットの消失が、実験的に確認された。
河裾 厚男; 岡田 漱平
Physical Review Letters, 81(13), p.2695 - 2698, 1998/09
被引用回数：85 パーセンタイル：91.25(Physics, Multidisciplinary)この論文は、世界初の反射高速陽電子回折の観測について詳述する。20keVの陽電子ビームが水素終端されたシリコン(111)面に対して、[111]及び[112]方位から入射させられた。0次のラウエゾーンとともにスペキュラースポットと回折スポットがはっきりと観測できた。また、シャドーエッジも明瞭に観測できた。回折図形は、比較的高い入射角(
3°)のときに出現した。スペキュラースポット強度のロッキング曲線は1次ブラッグピークと陽電子の全反射を明示した。
7とH-Si(111)11の表面ストレス差計測魚住 雄輝; 朝岡 秀人
no journal, ,
表面ストレスは、基板上への薄膜成長時における表面モフォロジー、結晶化度、結晶構造等の薄膜成長メカニズムを決定する重要なパラメータの1つであり、その理解を深めることは自己組織化によるナノ構造制御手法を確立するうえで重要なタスクである。本研究では、Si(111)77再構成表面の内在ストレス値を評価するため、基板ストレス測定装置を用いて以下の実験を行った。Si(111)77基板、および水素終端処理を施したH-Si(111)11基板を超高真空チャンバ内に投入し、MBE法によるGe蒸着過程のストレスその場観察を実施した。その結果、Geの膜厚に比例して増加する圧縮ストレスを捉え、両者の比較により77構造と11構造のストレス差:1.6N/mを実験的に観測することに成功した。次に、380
Cに加熱したSi(111)77基板への原子状水素照射過程におけるストレスその場観察およびRHEEDによる構造解析を実施した結果、原子状水素の照射開始と同時に77構造から11構造へとストリークパターンが変化し、H-Si(111)11形成過程のその場観察に成功した。また、表面構造変化と同時にストレスは急激な緩和を示し、その後も緩やかに緩和が侵攻した結果、380C・5,000Langmuir条件で1.7N/mを示した。本実験結果で得たSi(111)77再構成構造に内在する表面ストレス値は1.6-1.7N/mであり、この値は理論計算値1.66N/mと良い一致を示していた。
